• KVR16LS11/4 - Memoria Kingston PC3-12800, DDR3-1600, 4GB, SODIMM, 1600 MHz, para Laptop, de bajo voltaje

Memoria Kingston PC3-12800, DDR3-1600, 4GB, SODIMM, 1600 MHz, para Laptop, de bajo voltaje 1 año de garantía

Número de Parte: KVR16LS11/4

873
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KVR16LS11/4
4GB 1Rx8 512M x 64-Bit PC3L-12800
CL11 204-Pin SODIMM
 
DESCRIPTION
This document describes ValueRAM's 512M x 64-bit (4GB)
DDR3L-1600 CL11 SDRAM (Synchronous DRAM), 1Rx8, low
voltage, memory module, based on eight 512M x 8-bit FBGA
components. The SPD is programmed to JEDEC standard
latency DDR3-1600 timing of 11-11-11 at 1.35V or 1.5V. This
204-pin SODIMM uses gold contact fingers. The electrical and
mechanical specifications are as follows:
 
 
FEATURES
•JEDEC standard 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
•VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
•800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
•8 independent internal bank
•Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6
•Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
•8-bit pre-fetch
•Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
•Bi-directional Differential Data Strobe
•Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
•On Die Termination using ODT pin
•Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,3.9us at 85°C < TCASE< 95°C
•Asynchronous Reset
•PCB: Height 1.18” (30mm), double sided component
 
 
 
 
SPECIFICATIONS
CL(IDD) 11 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 260ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
Maximum Operating Power (1.35V) = 2.376 W*
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0°C to 85°C
 
Storage Temperature -55°C to +100°C
 
*Power will vary depending on the SDRAM.
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